NAND Flash拥有极佳的效能表现及大厂相继投入技术开发与量产，已经成为记忆体领域的亮眼明星，不断开发各种新的应用，2008年最大应用在MP3 Player 、数位相机与手机。

面对高速网路时代的来临，手机制造商与系统商需要藉由日益普及的3.5G高速网路，提供丰富的内容与服务给消费者，随着手机运算能力提高,NAND Flash 的使用将快速成长, 而更重要的是不论摄影、音乐、导航、电视等相关档案都需要有暂时储存与计算处理空间，因此手机半导体市场将会在2008年带动相关内建记忆体产业持续扩张。

2008年NAND Flash整体市场需求依然成长强劲，资料容量需求成长151.6%，然而供给端仅成长149.3%，部分原因是2007年NAND Flash价格持续大幅滑落，产业竞争激烈之下，几家二线厂商已经逐渐退出市场。展望2008年NAND Flash产业发展，量产NAND Flash 制程技术，将会是以56nm为主流，全年量产容量可以达到76%。

全球手机出货量从2006年的7.8亿支，成长到2008年的13.7亿支，其中含有插卡扩充功能的手机更是从2.9亿支成长到6.8亿支，渗透率在2008年达到49%，预计2008年手机应用记忆卡需求将会达到8.8亿张。手机不断扩充多媒体功能应用，不论拍照或是听音乐都持续带动手机记忆卡成长。

手机产业的另一个观察重点便是在手机半导体，手机各晶片业者从过去单纯的语音通讯晶片制造业者，转向成为提供多媒体解决方案的服务业者，发展的路线以减少体积、降低耗电量及迎合手机外型朝向轻薄的发展趋势。中短期发展以包含CMOS/CCD Sensor、FM Radio、GPS等多媒体晶片发展；长期阶段则是看好Mobile TV，Mobile TV待传输标准与内容供应的问题底定后，势必也将成为手机未来相当看好的发展趋势。

随着手机各种运算需求增加，处理器能力势必提高，随之而来的便是手机内建记忆体的使用大幅增加，不论是Mobile DRAM、NOR Flash 或是NAND Flash都将快速成长，在全球手机半导体营收比重高达28%，而更重要的是不论摄影、音乐、导航、电视等相关档案都需要有暂时储存与计算处理空间，因此手机半导体市场将会在2008年带动相关内建记忆体产业持续扩张。

四． 2008年NAND Flash量产供给制程以56nm为主

分析2008年NAND Flash产业的供给与需求状况，发现2008年NAND Flash整体市场需求依然成长强劲，资料容量需求成长151.6%，然而供给端仅成长149.3%，部分原因是2007年NAND Flash价格持续大幅滑落，产业竞争激烈之下，几家二线厂商已经逐渐退出市场，包括全球知名的Qimonda已在2007年第三季停止供应Twin Flash，Renesas也因策略上持续降低自有AG-AND Flash的生产比重，并转由合作伙伴力晶（PSC）代工，然而市占率持续下滑的情况下，AG-AND Flash未来发展可是危机重重。

全球NAND Flash产业制程技术发展迅速，2007下半年已经达到量产56nm，已经超前DRAM产业目前量产的70nm制程。展望2008 NAND Flash 产业量产制程技术，将会是以56nm为主流，全年量产容量可以达到76%，对于市占率较低或是量产技术落后的厂商，将会是一大严重的考验，预期2008年将会持续进行产业淘汰赛，口袋不够深或是技术追赶不上的公司，将会陆续退出NAND Flash产业，同时也加大此领域的进入门槛。

一 ． 2008年NAND Flash产值成长10.8%，高于整体半导体产业

2008年预估NAND Flash产值达到120亿美元，年成长率10.8%高于整体半导体产业之6.87%，8吋NAND Flash换算产能在20008年将成长43.5%, 而ASP 跌价幅度约达53.4%。2007年NAND Flash整体产业受到NAND Flash记忆体大幅度跌价影响，整体ASP跌幅达到出乎预期的65.7%；然而迈向2008年，在稍微减缓的跌价效应下，NAND Flash 预期仍将持续扩张其应用领域，不论是原本应用比重很高的数位相机、MP3/PMP Player、手机，乃至于未来最具成长潜力的PC领域，都可以看到许多NAND Flash应用的产品。

展望NAND Flash记忆体产业，可以从记忆体容量需求看出几点重要变化。首先是手机比重增加至23%，一举成为NAND Flash最大的终端应用，另外传统NAND Flash应用比重很高的数位相机及PMP/MP3 Player，还是维持很高的比重，只是因为2008年整体NAND Flash产业应用扩张，造成相对的比重下降。迈向2008年，PC领域应用的NAND Flash将会逐渐成长，从最初使用比重最高的工业电脑，逐渐成长至NB与PC。

二．消费性电子产品—数位相机与数位随身听占NAND Flash需求比重高

全球数位相机出货量从2006年的1.0亿台，成长到2008年出货量达到1.3亿台，加上Install Base需求，预计2008年数位相机应用记忆卡需求达到2.6亿张。另外值得注意的是，数位相机的主流畫素从2006年的600万畫素，进步到2008年的800万畫素，约占全球数位相机总出货量的30%。而且由于数位相机电池续航力持续增加，单颗电池约可拍摄储存250-300张相片，其中若是拍摄1，000万畫素解析度照片，单张照片所需记忆体容量就高达7-8MB，导致记忆卡容量需求大幅提升，促使支援储存容量记忆卡升级。

2008年全球MP3/PMP Player产值微幅成长5.3%，出货量成长11%达到2.4亿台，其中MP3/PMP Player使用NAND Flash作为储存装置的产品，其所占比重上升至74.9%，可以说随身携带的娱乐产品几乎都采用NAND Flash作为一个主要的资料储存平台；另外从2006年全球NAND Flash based的MP3/PMP Player市占率分析中，可以看出Apple以其ipod系列的MP3/PMP Player产品，拥有全球72%的品牌市占率，并且在2007下半年推出新的产品ipod touch，再加上原本就有的齐全产品线，预期在2008年仍将拥有全球7成的市占率。

另一个值得注意的厂商便是在NAND Flash产业上下游具有垂直整合优势的San Disk，在市场上也纷纷推出各种MP3/PMP Player，非常具有产品竞争力。2007下半年全球各大厂都紧跟Apple的脚步，纷纷推出以NAND Flash为主、具有大容量的MP3/PMP Player，像是Creative Labs的Zen 与Microsoft 的Zune。展望2008年的NAND Flash将丰富全球消费者的随身多媒体影音，满足消费者对于数位娱乐的无限需求。

（一）乐观中的2008年半导体产业仍潜藏受经济衰退影响的隐憂

虽然2006年世足赛并未带来相对买气，但是市场仍然看好2008奥运之后带来相关消费性电子产品及通讯产品需求。在这些庞大商机催化之下，市场看好2008年半导体有2，723亿美元年产值及6.87%成长率。当然在乐观中仍要考量油价高涨带来通膨问题，将可能侵蚀IT产业市场需求及未来新兴市场需求是否能顶起北美市场的缺口，成为推动全球半导体产业发展重要推手，而2008年全球半导体的发展将成为重要指标。

（二）表现优于全球的2008年台湾省IC产业

在半导体产业库存已逐步调整之际，加上各主要IDM大厂纷纷转型为Fab-lite或是Fabless，预期将带动IC产业Outsourcing风潮，其中台湾省将是这一波Outsourcing需求下最大受惠者，因为全球数一数二的晶圆代工厂及封测厂商都在台湾省。因此市场看好2008年台湾省IC及相关次产业发展，预估台湾省IC设计产值为4，324亿元新台币，而YoY是12%、IC制造产值为7，750亿元，新台币而YoY是4.8%、IC封测产值为3，863亿元新台币，而YoY是20%、整体IC产值为1兆5，937亿元新台币，而YoY是10.1%，预期台湾省在2008年整体IC产业景气成长动能将优于全球。

（三）三大系统整合技术：SiP、SoC和3D IC 当下各具有优势与适合的应用领域

目前系统整合发展仍以两度空间思维为大宗，例如SoC、2D SiP发展，未来随着IC朝向3D立体化发展，预期将带来更高的效能与更节能和更高整合度以及更小体积的IC晶片。

针对半导体产业未来对高效能与节能需求，市场分析归纳目前半导体发展趋势最主要分成两大部分：（1）藉由制程不断微缩化达到高效能与节能目标，例如45nm制程较前一世代65nm制程提升40%的效能，同时功耗可降低10%-20%；另外针对低功耗制程部分，45nm静态（static）功耗和前一世代65nm制程相比，降低幅度高达50%；至于在FD SOI（全空乏绝缘层覆矽）制程关于功耗部分分析发现可比Bulk CMOS制程降低40%；（2）透过高度系统整合技术发展达到高效能与节能目的，例如SoC、SiP及3D IC这3种技术，除了可使整个终端系统产品体积变小之外，耗电、效能、成本表现均优于传统制程。

（一）制程微缩技术发展趋势分析

半导体业界长期以来持续藉著制程不断微缩，去达到高效能、节能和Cost Down的目的，当然在更小微缩制程中需要不同电晶体设计达到减少漏电流（Leakage）及更低驱动电压，以达到更高效能更快反应速度和节能目标，例如45nm制程在电晶体的密度可以再增加1倍，即是65nm制程的2倍，或者反过来思考：使原有已量产的晶片在裸晶电路上减少一半的耗用面积，当然45nm制程的电晶体关于开路、短路切换速度将比现有65nm制程再快上20%。除了体积变小速度变快之外，45nm制程在功耗方面较前一世代65nm制程可降低10%-20%而在低功耗（Low Power）制程，45nm的静态功耗可降低高达50%。从上述可以看出新制程不是可以增加电晶体密度就是降低电路耗用面积进而精省成本，或者是用来提升运作时脉频率或用来精省电能。尤其是密度与电能，今日多数的晶片都已达需求之上的效能，效能价格比（Price Performance Rate，PPR）、运作时脉等不再是首要重视，相对的是更高密度所能带来的设计运用发挥，以及每瓦用电可获得的效能（Performance Per Walt，PPW）。 更小微缩制程中除了需要不同电晶体设计以及新制程开发之外，对于更高解析度的暴光技术与设备需求，从来没有间断过，换个角度思考更先进暴光技术与设备便代表晶圆厂核心技术之所在。过去各大半导体厂商莫不以Moore定律作为公司技术发展指标，不断透过资本支出购买并发展先进暴光技术，例如针对未来半导体进入32nm以下制程所需微影技术的可能发展趋势就有：（1）193nm湿浸式液体的持续研发；（2）超紫外线（EUV）；（3）无光罩（Maskless）；（4）壓印（Imprint）等4种不同技术。虽然技术不同，但他们却有共通点就是高设备成本；但是当面临各主要晶圆代工业者纷纷缩减资本支出同时将不利未来更先进制程开发，当然此时对于不需最先进制程就可以达到高效能与节能的系统整合技术，将受到业者青睐。

（二）高度系统整合技术发展趋势分析

无论是透过电路设计或是IC堆曡构装的技术，最终目标都是轻薄短小。目前半导体整合技术两大主流主要是系统晶片（System on Chip，SoC）与系统构装（System In Package SiP），其中SiP由于具备异质整合特性，适用于各种不同型态之封装设计，被广泛应用在缩装需求上，而高密度与高传输的封装方式，则是使IC能发挥最大效率与缩小模组（Module）体积的最大推手。系统整合晶片将原本不同功能晶片整合到单晶片达到高效能、降低功耗及缩小体积目的，以Skyworks开发手机单晶片为例，便有效降低对功耗需求，一般是减少40%（视整合程度与元件而定）；至于元件需求则是减少75%，加上基板面积亦减少65%，在系统整合之后整体的制造成本减少50%。

SiP提供了不同半导体制程技术及不同功能晶片的整合封装方案，SiP与SoC比较的最大优点在于SiP可以轻易地整合属于不同材质、不同制程的元件，而达到成为一系统或次系统的目的；反观SoC却不易将CMOS与GaAs或是Logic与DRAM制程整合在一起。加上SiP开发时间较短，对于一些Time to Ｍarket的电子产品而言，开发时间长短将直接影响到产品的生命周期，因此对于要求较短开发时间的产品，厂商往往选择采用SiP。一般而言，SoC平均设计时间约在1年以上，使得SoC的主要应用战场多在量大且生命周期性长的产品；而SiP则适用于需要整合大量记忆体而且开发时间短、量小但多样化市场等特质的产品。但是仍有部分厂商认为在产品开发初期先以SiP开发市场，等到市场需求量放大，则改用SoC已达到Cost Down目的。若以台湾省产业现况分析，因为台湾省未来产业发展逐渐朝向通讯及消费性电子发展，加上SoC牵涉到国际大厂平台SPEC释出问题，加上台湾省厂商规模都比IDM厂小，因此市场认为台湾省厂商未来发展SiP将比较具有优势。

事实上业界目前使用系统整合晶片大多是属于2D空间思维，例如SoC就一定是平面应用，因为SoC是单一个Die，因此只能在2D空间思维；至于SiP由于之前都朝向平面扩张，虽然效能性增加但是体积跟积极度并不理想，未来随着晶片堆曡技术日益精进，透过3D堆曡技术将整合记忆体和逻辑IC。未来可以藉由Wafer to Wafer（W2W）方式，透过TSV（Through Silicon Vias）技术将IC封装朝向3D立体思维，将使得成本降低、功能提高、体积更小及整合度更高等。而以往被半导体业界当作技术发展蓝图的Moore定律得以继续下去，甚至改写Moore定律达到「More than Moore」。

在3D IC 发展方面，由于半导体技术发展至45nm以下，铜导线线宽缩小所造成的阻抗增加，将恶化讯号延迟效应。如何在不缩小线宽、线距的情况下，还能提升电晶体密度，表示3D IC 系统晶片藉着TSV技术将是满足此项需求的解决方案之一，特别适合应用于记忆体、CMOS硬象感测器和微处理器甚至MEMS的应用。

2008年半导体晶片需求稳健主要受惠于NB、3G手机、PND、数位相机、音乐或影像播放器及LCD TV等3C电子产品的需求旺盛，尤其是消费性电子产品更是促使相关IC需求量成长快速的重要推手，而这些消费性电子产品向来都是台湾省IC产业拿手强项。此外Gigabit Ethernet、STB和数位相框产品等，2007年明星产品都将在2008年持续发酵，带动台湾省相关IC晶片的需求，加上国际IDM大厂持续将封装与测试委外生产，市场根据资料分析预估到了2009年，这些国际IDM大厂将近有一半封装与测试制程是委外生产。而未来在45nm以下制程，由于机台设备投资过于庞大，大多数IDM厂商甚至连晶圆制造也委外生产，只有少部分领导性IDM厂商如Intel、Samsung能够持续发展下去，这对半导体产业聚落完整、分工向来细致的台湾省半导体产业未来发展无疑注入一股强心针。所以台湾省IC年产值占全球IC年产值比重将持续稳健成长，从2007年20.9%成长到2008年的23%，到了2010年几乎每4个IC产品就有一个来自台湾省。因此市场看好2008年台湾省IC及相关次产业发展，预估IC设计产值为4,324亿元新台币，而YoY是12%、IC制造产值为7，750亿元新台币，而YoY是4.8%、IC封测产值为3，863亿元新台币，而YoY是20%、整体IC产值为1兆5，937亿元新台币，而YoY是10.1%，优于全球IC产业7.5%的年成长率。

一 ． 2008年产业大跃升带动半导体景气稳健成长

（一） IT需求带动半导体稳健成长

2008年，相关消费性电子产品及通讯产品如DTV/HDTV、DSC、MP3 Player、GPS、3G手机及行动电视等相关产品将带动半导体需求。在这些庞大商机催化下，市场看好2008年半导体产值为2，723亿美元而年成长率有6.87%，至于其他主要市调机构也相对看好2008年半导体产业，一致认为2008年半导体产业年成长率将优于2007年，其中以iSuppli最乐观预估将有7.5%年成长率，而其他家预估值都落在3.4%-9.1%之间。

市场除了看好2008年全球半导体将有2，723亿美元产值之外，并进一步和2007年半导体产品种类分析比较，发现2008年半导体产品应用种类主要区分为五大类，分别是：（1）资讯类占总产值37.6%, 主要应用产品是NB, 预估2008年NB出货约1亿1,600万台,年成长率24.7%;(2)通讯类占总产值26.3%, 主要应用产品是手机, 预估2008手机出货约13亿7,600万台,年成长率19.5%; (3)消费性电子类占总产值21.1%,主要应用产品是LCD TV、数位相机、有机机及2007年热销产品数位相框，预估2008年LCD TV出货约1亿台，年成长率32%；数位相机出货约1亿台3，000万台，年成长率71.2%；（4）Industrial类占总产值8.3%；（5）Automotive类占总产值6.7% 。和2007年相比发现资讯类呈现微幅下降，而通讯类和消费性则呈现微幅成长。

市场并进一步针对2008年全球IC及相关次产业发展进行研究分析，预估2008年全球IC设计产值为557亿美元，而YoY是9.22%、IC制造产值为1，260亿美元，而YoY是3.28%、IC封测产值为502亿美元，而YoY是15.4%、整体IC产值为2，319亿美元，而YoY是7.7%。其中IC制造产值年成长率偏低主要原因是来自2008年记忆体的平均售价（ASP），将持续维持抵档盘整，如DRAM明显的需求将要在2008下半年才会出现，厂商将持续以先进制程及扩大经济规模去降低单位平均成本，以度过产业寒冬，而台湾省将继续保有12吋产能的优势；至于NVND Flash的平均售价将持续以每年约30%-40%稳定跌幅逼近1.8吋微型硬碟单位成本，并逐渐以SSD取代1.8吋微型硬碟，开创NAND Flash 新兴应用市场。

（二）由2007年半导体三大领先指标趋势展望2008年

1．北美半导体设备B/B分析

北美半导体设备B/B值自2007年6月以来走势持续疲软，主要原因是：（1）DRAM价格不尽理想，记忆体设备的需求不如预期；（2）晶圆代工厂商2008年大幅调降资本支出；（3）IDM厂商持续转型Fab-lite或Fabless 将减少IC设备采购。同时由北美半导体设备B/B值走势，突显出在经济仍有疑虑下，相关IC厂商对未来扩厂动作已见收敛，大幅度扩厂可能性变低，将有助于稳定2008年IC相关产品价格。

2． 半导体库存（Wafer bank）水位分析

虽然新增订单量还不算太大，但因为都是上游客户的主力产品，或是刚开始投片的新款晶片。由此可知晶片库存问题已经获得解决，但由于Vista销售状况不如预期，未来仍需要持续关注PC相关CPU晶片及手机通讯晶片在2008年的销售状况，不过要重演2006年5月以后因为庞大库存无法去化而拖累整体半导体发展，市场认为机会不大，加上半导体库存水位已经在2007上半年有效去化，而在2007年下半年整个半导体产业链将回到淡旺季的良性循环。因此由半导体库存水位分析来预估2008年半导体发展，仍是乐观以对。

3． 半导体产能利用率分析

由于2007上半年，NB及Vista销售不佳及手机需求并不热络，造成整个半导体产业需求下滑，加上市场对先进制程需求尚未普及，必须等待2-3个季度的产能调整后，客户端才会慢慢导入先进制程，这些都是造成2007上半年各半导体厂制程产能利用率偏低的主要因素。而2007下半年随着消费性、通讯及资讯等相关订单均见回笼情况下，晶圆代工业者未来平均产能利用率将会维持在90%以上水准。因此市场预估2008年半导体产能利用率走势将近似2007年都是上半年低下半年高，但2008年高点有机会超越90% 。